為深入實施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，加快建設具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心，根據(jù)《上海市建設具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心“十四五”規(guī)劃》，上海市科學技術(shù)委員會特發(fā)布2022年度“探索者計劃”項目申報指南。以下為通知相關(guān)事項：

一、征集范圍（集成電路領(lǐng)域）

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專題四、集成電路前瞻性研究

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方向1、超導約瑟夫森結(jié)TCAD仿真工具研究

研究目標：建立超導約瑟夫森結(jié)可視化交互TCAD仿真軟件平臺，支持超導集成電路約瑟夫森結(jié)性能的仿真分析，仿真的約瑟夫森結(jié)臨界電流密度跟實測相比誤差在10%以內(nèi)，為解決量子退火芯片中量子比特設計和工藝協(xié)同優(yōu)化問題奠定關(guān)鍵基礎。

研究內(nèi)容：全面分析量子退火芯片核心器件——Nb基約瑟夫森結(jié)的物理機制，開發(fā)基于NEGF的量子輸運方法TCAD仿真軟件，支持按工藝、材料需求進行三維器件結(jié)構(gòu)建模，包含約瑟夫森結(jié)界面工藝到器件結(jié)構(gòu)以及電學性能的分析仿真。

執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

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方向2、GAA-FET器件DTCO仿真分析關(guān)鍵技術(shù)研究

研究目標：配合產(chǎn)業(yè)界基于較成熟的先進技術(shù)節(jié)點，提出環(huán)柵場效應管（GAA-FET）器件的工藝流程方案并通過設計工藝協(xié)同優(yōu)化（DTCO），建立合理的設計規(guī)則，實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化和單元電路性能提升。

研究內(nèi)容：基于先進工藝建立GAA-FET DTCO的PPA分析等全流程仿真分析方法，優(yōu)化設計規(guī)則和器件結(jié)構(gòu)，構(gòu)建GAA-FET器件緊湊物理模型，開展典型單元電路的仿真分析，評估整體技術(shù)方案的可行性。

執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

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方向3、應用于先進CMOS外延工藝的RHEED定量表征方法研究及軟/硬件系統(tǒng)實現(xiàn)

研究目標：針對未來先進工藝中在線實時監(jiān)測半導體外延薄膜的需要，進一步發(fā)展反射式高能電子衍射（RHEED）技術(shù)，實現(xiàn)全晶圓粗糙度、晶格常數(shù)、缺陷等參數(shù)的數(shù)據(jù)收集，表面粗糙度量測精度≤0.02nm，并完成對比測試和工藝驗證及評估。

研究內(nèi)容：基于RHEED技術(shù)開發(fā)高質(zhì)量半導體外延薄膜量測系統(tǒng)，構(gòu)建基于RHEED技術(shù)定量表征半導體薄膜粗糙度的模型，發(fā)展半導體薄膜粗糙度定量表征方法，拓展RHEED定位表征薄膜缺陷的方法，并應用于FinFET/GAA-FET器件核心外延工藝薄膜的表面粗糙度量測技術(shù)并實現(xiàn)相關(guān)量測應用。

執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

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方向4、14nm FinFET及以下節(jié)點工藝Litho、SiGe等核心工藝監(jiān)測的研究

研究目標：創(chuàng)新14nm FinFET及以下工藝節(jié)點光刻（Litho）、鍺硅外延（SiGe）核心工藝監(jiān)測的新方法，開發(fā)設計標準單元庫對14nm及以下工藝節(jié)點的Litho、SiGe進行有效監(jiān)測，助力縮短研發(fā)周期。

研究內(nèi)容：研究14nm FinFET及以下工藝節(jié)點的Litho、SiGe等關(guān)鍵工藝對產(chǎn)品設計及其布圖（Layout）產(chǎn)生關(guān)鍵影響的機理及特性。整合Layout設計與工藝，構(gòu)建14nm及以下工藝節(jié)點的標準單元庫和核心工藝監(jiān)測評估方法，改善優(yōu)化Litho、SiGe等在研發(fā)上量階段的工藝。

執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

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方向5、FinFET工藝寄生效應的精準表征、建模及測試版圖自動生成工具研究開發(fā)

研究目標：揭示FinFET器件本征及中后段工藝寄生特性引入機制，實現(xiàn)精準的寄生效應在片測試技術(shù)并應用于RC精準建模，開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的相關(guān)版圖自動生成工具。

研究內(nèi)容：研究FinFET器件三維結(jié)構(gòu)特有的本征及中后段工藝寄生引入機制、獨有結(jié)構(gòu)寄生電容的精準拆分、計算及電磁仿真擬合，探索極微小電容的可集成在片測試電路并應用于FinFET先進工藝建模。研發(fā)適用于該工藝的RC測試結(jié)構(gòu)版圖自動生成工具，生成一套適用于中后道RC參數(shù)提取的測試結(jié)構(gòu)版圖，進行流片驗證、測試、參數(shù)提取，并建立RC參數(shù)模型。

執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

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專題五、毫米波和太赫茲技術(shù)

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方向1、適用于相干太赫茲通信的全模擬硅基集成接收機的研究

研究目標：研究相干太赫茲通信全模擬硅基集成接收機，在載波頻率300GHz實現(xiàn)單通道面積≤1mm2、功耗150mW、帶寬≥3GHz的支持QAM正交調(diào)制的相控接收機設計。

研究內(nèi)容：基于克拉莫-克若尼關(guān)系的太赫茲接收機，研究簡潔高效的集成全模擬太赫茲接收機電路設計，優(yōu)化相干接收機整體的功耗與電路復雜度，替代傳統(tǒng)通信正交解調(diào)手段實現(xiàn)相位及振幅信息的解析。

執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

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方向2、基于傳輸線理論的片上集成互連結(jié)構(gòu)與元件模型和建模方法

研究目標：革新射頻芯片（RFIC）原理圖和版圖設計流程，實現(xiàn)基于硅基片上傳輸線解析建模的RFIC設計，可兼容國產(chǎn)射頻集成電路仿真器以及PDK環(huán)境應用，為基于國產(chǎn)化EDA工具平臺發(fā)展高效率RFIC設計建立基礎。

研究內(nèi)容：研究基于傳輸線理論的片上集成微帶線、傳輸線等互連結(jié)構(gòu)、元件模型和建模方法，優(yōu)化RFIC原理圖和版圖設計流程，完善無源互連結(jié)構(gòu)從器件設計到測量及模型庫開發(fā)流程，完成基于Si基片上傳輸線解析建模的RFIC設計。

執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

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專題六、功率器件研究

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方向1、基于DTCO技術(shù)的車規(guī)級智能功率MOSFET全集成研究

研究目標：采用設計工藝協(xié)同優(yōu)化（DTCO）技術(shù)實現(xiàn)功率MOSFET與控制電路的單芯片全集成及協(xié)同設計。建立控制邏輯器件、功率MOSFET模型及PDK（誤差10%以內(nèi)），并實現(xiàn)集成控制邏輯電路的功率MOSFET設計及性能驗證，探索解決低開關(guān)速率下由于安全工作區(qū)SOA超界而損壞功率MOSFET問題。

研究內(nèi)容：研究并改進功率MOSFET工藝技術(shù)，提出兼容功率MOSFET及控制電路的工藝制備技術(shù)路線，滿足功率MOSFET和控制電路單芯片全集成。研究并提出面向功率MOSFET的DTCO設計方法，實現(xiàn)工藝、器件、電路及功率MOSFET協(xié)同優(yōu)化設計。

執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

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二、申報要求

除滿足前述相應條件外，還須遵循以下要求：

1. 項目申報單位應當是注冊在上海市的法人或非法人組織，具有組織項目實施的相應能力。

2. 研究內(nèi)容已經(jīng)獲得財政資金支持的，不得重復申報。

3. 所有申報單位和項目參與人應遵守科研倫理準則，遵守人類遺傳資源管理相關(guān)法規(guī)和病原微生物實驗室生物安全管理相關(guān)規(guī)定，符合科研誠信管理要求。項目負責人應承諾所提交材料真實性，申報單位應當對申請人的申請資格負責，并對申請材料的真實性和完整性進行審核，不得提交有涉密內(nèi)容的項目申請。

4. 申報項目若提出回避專家申請的，須在提交項目可行性方案的同時，上傳由申報單位出具公函提出回避專家名單與理由。

5. 已作為項目負責人承擔市科委科技計劃在研項目2項及以上者，不得作為項目負責人申報。

6. 項目經(jīng)費預算編制應當真實、合理，符合市科委科技計劃項目經(jīng)費管理的有關(guān)要求。

7. 各研究方向同一單位限報1項。

8. 申請人在申請前應向聯(lián)合資助方了解相關(guān)項目的需求背景和要求。

9. 申請項目評審通過后，申請人及所在單位將收到簽訂“探索者計劃資助項目協(xié)議書”的通知。申請人接到通知后，應當及時與聯(lián)合資助方聯(lián)系，在通知規(guī)定的時間內(nèi)完成協(xié)議書簽訂工作。

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三、申報方式

1. 項目申報采用網(wǎng)上申報方式，無需送交紙質(zhì)材料。申請人通過“上海市財政科技投入信息管理平臺”進入申報頁面，有關(guān)操作可參閱在線幫助。

2. 項目網(wǎng)上填報起始時間為2022年8月17日9:00，截止時間（含申報單位網(wǎng)上審核提交）為2022年9月5日16:30。

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四、評審方式

采用第一輪通訊評審、第二輪見面會評審方式。

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五、立項公示

上海市科學技術(shù)委員會將向社會公示擬立項項目清單，接受公眾異議。

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六、咨詢電話

021-12345、8008205114（座機）

4008205114（手機）